- 先進(jìn)的TrenchSTOP? IGBT技術(shù): 提供更低的導(dǎo)通損耗和更優(yōu)的熱性能。
- 優(yōu)化的熱管理設(shè)計: 確保模塊在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定運行。
- 緊湊的封裝尺寸: 適應(yīng)空間受限的應(yīng)用場合,便于系統(tǒng)集成。
- 高功率密度和高效率: 適用于需要高功率輸出和高能效比的應(yīng)用。
- 寬工作溫度范圍: 適應(yīng)不同環(huán)境溫度,保證全球范圍內(nèi)的可靠運行。
更高的可控性:這項技術(shù)提供了對開關(guān)速度
dv/dt的精確控制,這對于設(shè)計工業(yè)驅(qū)動器時滿足電機(jī)絕緣要求或EMI限制至關(guān)重要。通過調(diào)節(jié)柵極電阻器的值,可以優(yōu)化開關(guān)速度,從而減少開關(guān)損耗并避免電機(jī)絕緣問題。
增強(qiáng)的短路耐受能力:TrenchSTOP? IGBT技術(shù)增強(qiáng)了器件的短路耐受時間,這意味著在短路條件下,器件能夠承受更大的電流沖擊而不會損壞,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
提高的最大工作溫度:新一代的TrenchSTOP? IGBT模塊允許在更高的結(jié)溫下運行,例如175°C,這不僅提高了功率密度,還有助于在過載情況下保持器件性能。
優(yōu)化的熱性能:由于更低的導(dǎo)通損耗和改進(jìn)的熱管理設(shè)計,TrenchSTOP? IGBT模塊在高負(fù)載下仍能保持較低的工作溫度,從而延長了器件的使用壽命并提高了整體的熱穩(wěn)定性。
提升的功率密度:TrenchSTOP?技術(shù)使得IGBT模塊可以在更小的封裝中提供更高的電流額定值,這有助于縮小系統(tǒng)尺寸,提高空間利用率。
改進(jìn)的EMI性能:新型微溝槽柵技術(shù)有助于減少電磁干擾,使得開關(guān)器件在操作時更加穩(wěn)定,對周圍電子設(shè)備的影響更小